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J-GLOBAL ID：200903015296132074

プラズマ処理装置及び構造体の製造方法

Inventor： 鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001336572
Publication number (International publication number)：2003142471
Application date： Nov. 01, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：

【要約】【課題】 放電初期においても、基板へのマイクロ波照射を低減し照射損傷を抑制できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 排気手段106により略円筒形状のプラズマ処理室101を排気し、マイクロ波導波管108を介してプラズマ処理室101内にマイクロ波を導入し、プラズマ処理室101内でプラズマを発生させプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、プラズマ処理される被処理体102の表面とマイクロ波導波管108とのマイクロ波換算距離が自然波長の略4分の奇数倍であることを特徴とする。プラズマ処理室101にはさらに誘電体窓107を介してマイクロ波が導入され、誘電体窓107のマイクロ波換算厚は、導入されるマイクロ波の周波数における誘電体窓107の比誘電率の平方根を誘電体窓107の実厚に乗じた値である。

Claim (excerpt)：

マイクロ波供給器を介してプラズマ処理室内にマイクロ波を導入し、前記プラズマ処理室内でプラズマを発生させプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、該プラズマ処理される被処理体の表面と前記マイクロ波供給器とのマイクロ波換算距離が自然波長の略4分の奇数倍であることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

F-Term (58)：

4K030FA02 ,  4K030JA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB26 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB16 ,  5F045CB04 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EE20 ,  5F045EH03 ,  5F045EH19 ,  5F045GB08