Pat
J-GLOBAL ID：200903015308338773
GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996256229
Publication number (International publication number)：1998107317
Application date： Sep. 27, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】基板を導電性とし、高品質なGaN系結晶を成長させることができ、構成上、基板の裏面及び表面のそれぞれにn型及びp型の電極を設けることができ、電極の配置が要する面積及び光の取り出しに支障を来すことがなく、更に、劈開性に優れGaN系素子のチップ化が容易であり、特にGaN系レーザダイオード(LED)では、発光効率、光の取り出し効率の向上が図れるGaN系素子用基板を提供する。【解決手段】この発明のGaN系素子用基板は、シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上に堆積された金属アルミニウム単結晶層と、前記金属アルミニウム単結晶層上に成長したAl<SB>x </SB>In<SB>y </SB>Ga<SB>(1-x-y) </SB>N(但し0≦x<1、0≦y<1,0≦(x+y)<1)で表される単結晶層と、より構成される。
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上に堆積された金属アルミニウム単結晶層と、前記金属アルミニウム単結晶層上に成長したAl<SB>x </SB>In<SB>y </SB>Ga<SB>(1-x-y) </SB>N(但し0≦x<1、0≦y<1,0≦(x+y)<1)で表される単結晶層と、より成るGaN系素子用基板。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
