高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998029321
Publication number (International publication number)：1998324748
Application date： Jan. 27, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量1,000〜50,000の高分子シリコーン化合物。(Zは2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、R<SP>1</SP>は炭素数1〜8の非置換又は置換アルキル基又はアルケニル基、R<SP>2</SP>は酸不安定基を示し、mは0又は整数、nは整数であり、m+n≦5を満足する数である。xは整数である。p1、p2は正数、qは0又は正数であり、0<p1/(p1+p2+q)≦0.9、0<p2/(p1+p2+q)≦0.9、0≦q/(p1+p2+q)≦0.7、p1+p2+q=1を満足する数である。)【効果】本ポジ型レジスト材料は、特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができる。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量1,000〜50,000の高分子シリコーン化合物。【化1】[式中、Zは2価〜6価の炭素数5〜12の単環式もしくは多環式炭化水素基又は有橋環式炭化水素基、R<SP>1</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状の非置換又は置換アルキル基又はアルケニル基を示す。R<SP>2</SP>は酸不安定基を示し、mは0又は正の整数、nは正の整数であり、m+n≦5を満足する数である。xは正の整数である。p1、p2は正数、qは0又は正数であり、0<p1/(p1+p2+q)≦0.9、0<p2/(p1+p2+q)≦0.9、0≦q/(p1+p2+q)≦0.7、p1+p2+q=1を満足する数である。また、カルボキシル基の水素原子全体の0モル%を超え90モル%以下が、下記一般式(2a)又は(2b)で示されるC-O-C基を有する架橋基によって分子内及び/又は分子間で架橋されていてもよい。【化2】(式中、R<SP>3</SP>、R<SP>4</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R<SP>3</SP>とR<SP>4</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>3</SP>、R<SP>4</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>5</SP>は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。Aは、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。cは2〜8、c’は1〜7の整数である。)]

IPC (4)：

C08G 77/04 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (4)：

C08G 77/04 , G03F 7/039 601 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭62-036662
特開平4-107460
ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-331724 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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