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J-GLOBAL ID：200903015316771710

半導体装置の絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成材料

Inventor： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子 ,  山口 城
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996296426
Publication number (International publication number)：1998144672
Application date： Nov. 08, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路の多層配線の低誘電率絶縁膜形成方法及び材料を提供する。【解決手段】 処理基板上にフルオロカーボン側鎖を有するポリカルボシラン樹脂の被膜を形成し、この被膜を熱処理して絶縁膜とする。ポリカルボシラン樹脂は次の一般式【化1】(この式のR1 は炭素原子数1〜5のフルオロカーボン基であり、R2 は水素又は炭素原子数1〜3のアルキル基であり、R3 は炭素原子数1〜3のアルキル基であり、R4 は水素又は炭素原子数1〜3のアルキル基であり、n≧10、m≧0であって、且つn+m=10〜1000である)を有する。

Claim (excerpt)：

多層配線を有する半導体装置の絶縁膜形成方法であって、処理基板上にフルオロカーボン側鎖を有するポリカルボシラン樹脂の被膜を形成し、この被膜を熱処理して絶縁膜とすることを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  C08G 77/48 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/312 C ,  C08G 77/48 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/90 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-204832   Applicant：富士通株式会社