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J-GLOBAL ID:200903015317114020
バンプを備えた半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993350762
Publication number (International publication number):1995201865
Application date: Dec. 31, 1993
Publication date: Aug. 04, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置(ICチップ)のパッドの表面にプローブを圧接させてテストを行った際に、パッドの表面にプローブ跡が残ったとしても、このプローブ跡に起因する不都合を完全に解決する。【構成】 パッド12に接続されてその近傍に形成されたテスト用パッド17aの所定の表面にプローブ19を圧接させる。この結果、テスト用パッド17aの所定の表面にプローブ跡が生じたとしても、バンプ形成領域の本来のパッド12上に形成されたテスト用パッド17aの表面に下地金属層20aを均一な厚さで形成することができ、したがってプローブ跡に起因する不都合を完全に解決することができる。
Claim (excerpt):
パッド上に下地金属層を介してバンプが形成された半導体装置において、前記バンプの形成領域以外の領域に前記パッドに接続されたテスト用パッドを備えていることを特徴とするバンプを備えた半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/321
, H01L 21/66
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (2):
H01L 21/92 C
, H01L 27/04 E
Patent cited by the Patent: