Pat
J-GLOBAL ID:200903015324840047
中速電子回折測定方法および装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994012982
Publication number (International publication number):1995218454
Application date: Feb. 04, 1994
Publication date: Aug. 18, 1995
Summary:
【要約】【目的】【構成】 加速電圧を1.0〜10keVとした中速電子線を試料へ入射角75度以上90度未満で照射し、試料表面の略法線方向に阻止型電極の中心を設け、試料から後方に散乱した弾性散乱電子だけを選択的に通過させて、弾性散乱電子の二次元回折パタ-ンを得る方法、および試料へ中速電子線を上記加速電圧および入射角で斜め照射させる電子光学系と、阻止型電極と、阻止型電極を通過した散乱電子の二次元強度を測定する手段とを設けた中速電子回折測定装置。【効果】 二次元回折パタ-ン全体を同時に、短時間で得られる。
Claim (excerpt):
試料に中速電子線を斜めに入射させ、該試料から後方に散乱した弾性散乱電子の回折パタ-ンを測定する方法において、電子線の加速電圧を1.0〜10keV、中速電子線の試料への入射角を75度以上90度未満とし、試料表面の略法線方向に阻止型電極の中心を設けて弾性散乱電子だけを選択的に通過させて、弾性散乱電子の二次元回折パタ-ンを得ることを特徴とする中速電子回折測定方法。
Return to Previous Page