Pat

J-GLOBAL ID：200903015329033603

半導体コンデンサ構造体および形成方法

Inventor： ドナルド・エム・ケニー ,  ピーター・ジェイ・ゲイス
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995278151
Publication number (International publication number)：1996213565
Application date： Oct. 25, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】コンデンサ構造の第1極板として多孔性シリコンを利用し、これによってコンデンサに利用できる表面積を大幅に増加させ、かつ達成可能なキャパシタンスを大幅に増加させるコンデンサ構造を提供する。【解決の手段】コンデンサ構造は多孔性シリコンの領域46を有する半導体基板44と、多層誘電体からなる誘電体のコンフォーマル層48と、シリコンのコンフォーマル層50とからなっている。多孔性シリコンの領域がコンデンサ構造の第1極板を形成し、シリコンのコンフォーマル層が前記コンデンサ構造の第2極板を形成し、第1極板が誘電体の前記層によって第2極板から分離されている。

Claim (excerpt)：

表面から内部へ延びている多孔性シリコン領域を有するシリコン基板と、前記多孔性シリコン領域に重なっている、多層誘電体からなる誘電体のコンフォーマル層と、前記誘電体のコンフォーマル層に重なっているシリコンのコンフォーマル層とからなり、前記多孔性シリコン領域がコンデンサ構造の第1極板を形成し、前記シリコンのコンフォーマル層が前記コンデンサ構造の第2極板を形成し、前記第1極板が前記誘電体のコンフォーマル層によって前記第2極板から分離されている半導体コンデンサ構造体。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• マイクロ・マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-131883   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-019591   Applicant：日本電気株式会社