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J-GLOBAL ID：200903015330461040

単層カーボンナノチューブの製造方法とそれにより得られる単層カーボンナノチューブおよび多孔質体原料

Inventor： 飯島 澄男 ,  湯田坂 雅子 ,  張 民芳
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000344397
Publication number (International publication number)：2002154813
Application date： Nov. 10, 2000
Publication date： May. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 生成効率がより高められた単層カーボンナノチューブの製造方法と、その方法により得られ、マイクロ半導体、マイクロカプセルおよびマイクロマシンなどに有用な単層カーボンナノチューブ、およびその方法で用いる多孔質原料を提供する。【解決手段】 金属と炭素からなる多孔質体原料にエネルギーを供給することで単層カーボンナノチューブを得る。

Claim (excerpt)：

金属と炭素からなる多孔質体原料にエネルギーを供給することで単層カーボンナノチューブを得ることを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (7)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/28 ,  D01F 9/133

FI (7)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/24 F ,  C23C 14/28 ,  D01F 9/133

F-Term (18)：

4G046CA00 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4K029BA34 ,  4K029BB00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4L037CS03 ,  4L037FA03 ,  4L037FA04 ,  4L037FA05 ,  4L037PA03 ,  4L037PA05 ,  4L037PA06 ,  4L037PA24 ,  4L037UA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特許第2526782号
  
• 直線状カ-ボンナノチュ-ブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-007598   Applicant：大阪瓦斯株式会社