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J-GLOBAL ID：200903015341136833

ポリイミドのパターン形成方法

Inventor： 三浦 康男 ,  江口 益市 ,  立花 康子
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042457
Publication number (International publication number)：1994318539
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【構成】本発明は、ポリイミド前駆体ワニスを基板上に塗布、プリベーク、フォトレジスト塗布、プリベーク、現像、剥離の後に、あるいは、感光性ポリイミド前駆体ワニスを基板上に塗布、プリベーク、露光、現像した後に、基板を熱源に接触させることにより、ポリイミド前駆体被膜を160°C以上に加熱することを特徴とするポリイミドのパターン形成方法に関する。【効果】本発明によると、熱処理後パターン部の形状を正のテーパー形状にすることが可能となり、“角”の発生を防止することができるので、断線のない高信頼性の導体配線をポリイミド上に形成することができる。したがって、高性能、高信頼性の多層基板やカラーフィルタを高収率に製造することが可能となった。

Claim (excerpt)：

(A)ポリイミド前駆体ワニスを基板上に塗布、プリベークし、ポリイミド前駆体被膜を形成する工程、(B)該ポリイミド前駆体被膜上にフォトレジストを塗布、プリベークする工程、(C)該フォトレジストを選択的に露光する工程、(D)該フォトレジストとポリイミド前駆体被膜を選択的に現像する工程、(E)該フォトレジストを剥離する工程、(F)該基板を熱源に接触させることにより、該ポリイミド前駆体被膜を160°C以上に加熱する工程、の各工程を含むことを特徴とするポリイミドのパターン形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/90

FI (2)：

H01L 21/30 571 ,  H01L 21/30 566