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J-GLOBAL ID:200903015342585135

半導体加速度センサ及びその封止方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 安藤 淳二 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998041847
Publication number (International publication number):1999237401
Application date: Feb. 24, 1998
Publication date: Aug. 31, 1999
Summary:
【要約】【課題】 外部からの湿気の浸入によって半導体センサ部が腐食することのない半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 四側壁11及び箱形内部12を有して略矩形状の有底箱形に形成されたハウジング1と、加速度を検知するセンサチップ21が設けられた半導体センサ部2と、一片31から略L字型に折曲形成された他片32を有した長尺板状に形成されて、一片31が半導体センサ部2に接続するとともに所定板厚を有した他片32の基端部32aがハウジング1の第1側壁11aから導出された複数の端子板3と、カバー底部41及び側部42を有して略有底箱形に形成されてハウジング1の四側壁11に封止されるカバー4とを備え、前記ハウジング1は、前記所定板厚に相当する溝深さδを有して前記他片32の基端部32aを収容する切り欠き溝11bが、前記第1側壁11aに設けられた構成にしてある。
Claim (excerpt):
側壁及び箱形内部を有して略矩形状の有底箱形に形成されたハウジングと、加速度を検知するセンサチップが設けられた半導体センサ部と、一片及びその一片から略L字型に折曲形成された他片を有した長尺板状に形成されて、一片が半導体センサ部に接続するとともに所定板厚を有した他片の基端部がハウジングの少なくとも一つの側壁から導出された複数の端子板と、カバー底部及び側部を有して略有底箱形に形成されてハウジングの側壁に封止されるカバーとを備え、箱形内部が外部から封止される半導体加速度センサであって、前記ハウジングは、前記所定板厚に相当する溝深さを有して前記他片の基端部を収容する切り欠き溝が、前記少なくとも一つの側壁に設けられたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (5):
G01P 15/08 ,  G01P 1/02 ,  G01P 15/12 ,  H01L 29/84 ,  H01R 9/16 101
FI (5):
G01P 15/08 Z ,  G01P 1/02 ,  G01P 15/12 ,  H01L 29/84 A ,  H01R 9/16 101

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