Pat
J-GLOBAL ID：200903015346511314
シリコン酸化膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996060972
Publication number (International publication number)：1997251997
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】有機系シランを用いた凝縮CVD法により高品質のシリコン酸化膜を形成すること。【解決手段】原料として、シリコン源のTMSおよび酸素源のO2 の他に、膜質劣化の原因となるアルキル基等の有機官能基の残存量を効果的に少なくできるトルエンを用いる。
Claim (excerpt)：
原料ガスとして酸素源ガスおよび有機系シランガスを用いたCVD法によりシリコン酸化膜を基板上に形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記原料ガスに、前記シリコン酸化膜中に含まれる有機官能基と選択的に反応する物質を添加することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 C
