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J-GLOBAL ID：200903015346651850

電磁鋼基板上への単結晶薄膜生成方法及びその単結晶薄膜装置

Inventor： 藤岡 洋 ,  尾嶋 正治
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002220804
Publication number (International publication number)：2004063834
Application date： Jul. 30, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】原子レベルで平坦化された基板上にレーザMBE装置を用いることにより、電磁鋼板上に良質な単結晶薄膜を成長させることができる、電磁鋼基板上への単結晶薄膜生成方法及びその単結晶薄膜装置を提供する。【解決手段】電磁鋼基板12表面にコロイダルシリカによるCMP基板研磨と、この基板12の超高真空中でのアニールを施し、前記基板12上に原子レベルで平坦な結晶表面を形成し、この平坦な結晶表面の酸化膜を熱処理により除去し、レーザーMBE法により前記原子レベルで平坦化された基板12上にターゲット11を用いたIII 族窒化物を成長させる。【選択図】 図10

Claim (excerpt)：

(a)電磁鋼基板表面にコロイダルシリカによるCMP基板研磨と、該基板の超高真空中でのアニールを施し、前記基板上に原子レベルで平坦な結晶表面を形成し、 (b)該平坦な結晶表面の酸化膜を熱処理により除去し、 (c)レーザーMBE法により、前記原子レベルで平坦化された基板上にターゲットを用いたIII 族窒化物を成長させることを特徴とする電磁鋼基板上への単結晶薄膜生成方法。

IPC (5)：

H01L21/203 ,  C23C14/28 ,  C30B23/08 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

FI (5)：

H01L21/203 M ,  C23C14/28 ,  C30B23/08 Z ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C

F-Term (37)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB10 ,  4G077SC08 ,  4K029AA02 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029FA03 ,  4K029FA04 ,  4K029FA06 ,  5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH05 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103RR08