高周波誘導加熱炉

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996078065
Publication number (International publication number)：1997245957
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】高周波誘導加熱炉の試料付近の温度を高温にすると共に、その雰囲気を高純度に維持し、かつ反応ガス注入時における反応管内壁への多結晶SiCの付着・堆積を防止する。【解決手段】石英管により形成された反応管2内にルツボまたはサセプタなどの加熱処理部1が設置され、反応管2の外周に配置された加熱コイル4に高周波電流を流すことにより、加熱処理部1に供給される試料を加熱する高周波誘導加熱炉において、反応管2内に、加熱処理部1をその内部に設置されるように設けられたシリコンカーバイドにより構成された熱遮蔽管13を備えたものである。

Claim (excerpt)：

石英管により形成された反応管内にルツボまたはサセプタが設置され、前記反応管の外周に配置された加熱コイルに高周波電流を流すことにより、前記ルツボまたはサセプタに供給される試料を加熱する高周波誘導加熱炉において、前記反応管内に、前記ルツボまたはサセプタをその内部に設置されるように設けられたシリコンカーバイドにより構成された熱遮蔽管を備えたことを特徴とする高周波誘導加熱炉。

IPC (4)：

H05B 6/24 , F27B 14/16 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (4)：

H05B 6/24 , F27B 14/16 , H01L 21/205 , H01L 21/324 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

化合物半導体結晶気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-177774 Applicant：古河電気工業株式会社
特開昭59-171113
半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いる縦型熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-288460 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社

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