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J-GLOBAL ID：200903015356828839

多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド

Inventor： 内山 晋 ,  綱島 滋 ,  神田 達哉 ,  神保 睦子 ,  中谷 亮一 ,  杉田 愃
Applicant, Patent owner： 名古屋大学長 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993082934
Publication number (International publication number)：1994295818
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、面心立方構造を有する磁性層を用いた多層磁気抵抗効果膜の飽和磁界を改善する方法を提供することにある。【構成】 多層磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化率を向上するために、面心立方構造を有する磁性層の結晶の(111)面を基板に平行に配向させた。これにより、磁性層間の交換相互作用を弱くし、飽和磁界を低下させた。また、磁化の向きの制御は、磁性層の磁気異方性の向きを磁性層毎に変化させる、2種類の異なる磁性層を使用する、磁性層に反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加するなどの方法により行った。また、上記多層磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置に用いた。【効果】 本発明の多層磁気抵抗効果膜は低い飽和磁界および高い磁気抵抗変化率を示す。また、上記多層磁気抵抗効果膜を使用した磁気ヘッドは、優れた再生特性を示した。また、上記磁気ヘッドを磁気記録再生装置に用いることにより、高性能磁気記録再生装置が得られた。

Claim (excerpt)：

磁性層と非磁性層を積層した多層膜を用いた多層磁気抵抗効果膜において、上記磁性層の少なくとも一部が面心立方構造を有し、上記多層膜における面心立方構造を有する結晶の(111)面によるX線回折強度I111と結晶の(200)面によるX線回折強度I200との関係が、I111/(I200+I111)≧0.8であることを特徴とする多層磁気抵抗効果膜。

IPC (3)：

H01F 10/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08