電気光学装置及びその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000308742
Publication number (International publication number)：2001185354
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、インクジェット方式によるEL層の形成を簡便でかつ高速に処理することを目的としている。そして、動作性能及び信頼性の高い電気光学装置の作製方法、特にEL表示装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明はインクジェット方式でEL層を形成するときに、該EL層を複数の画素に渡って連続して設ける。具体的には、m行n列にマトリクス状に配列された画素電極に対して、選択されたある一列または一行に対し、EL層をストライプ状に形成する。または、各画素電極に対応して長円形或いは長方形にEL層を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に複数のTFTを形成する工程と、前記複数のTFTの各々に接続する複数の画素電極を形成する工程と、前複数の画素電極の上にEL層を形成する工程とを有し、前記EL層はインクジェット方式により形成され、該EL層は前記複数の画素電極に渡って連続させることを特徴とする電気光学装置の作製方法。

IPC (7)：

H05B 33/10 , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 365 , H05B 33/12 , H05B 33/14 , H05B 33/22 , H05B 33/26

FI (7)：

H05B 33/10 , G09F 9/00 342 Z , G09F 9/30 365 Z , H05B 33/12 B , H05B 33/14 A , H05B 33/22 Z , H05B 33/26 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

アクティブマトリクス型表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-234921 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-352962 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-142019 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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