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J-GLOBAL ID：200903015381214390

半導体装置とその製造方法

Inventor： 中島 長明
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293718
Publication number (International publication number)：1993109755
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高い性能を有するコレクタアップ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタとその製造方法を提供すること。【構成】 基板1上にエミッタコンタクト層2、エミッタ層3、エミッタグレーディング層4、ベース層5、コレクタ層6とを順次形成したメサ型バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ層6とベース層5との間にコレクタ層と同じ導電型もしくは半絶縁性を有し、かつコレクタ層およびコレクタコンタクト層と異なる成分を有する半導体材料でなる介在層12を設けた半導体装置とその製造方法

Claim (excerpt)：

基板上にエミッタコンタクト層、エミッタ層、エミッタグレーディング層、ベース層、コレクタ層とを順次形成したメサ型バイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタ層とベース層との間にコレクタ層と同じ導電型もしくは半絶縁性を有し、かつ前記コレクタ層およびコレクタコンタクト層と異なる成分を有する半導体材料でなる介在層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205