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J-GLOBAL ID：200903015399708551

タンデム型太陽電池およびその製造方法

Inventor： 長島 知理
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001172999
Publication number (International publication number)：2002368238
Application date： Jun. 07, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 発電特性が高くかつ製造コストを低減した3端子型のタンデム型太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 IV族半導体下部セル上にIII-V族化合物半導体上部セルを積層した3端子型のタンデム型の太陽電池において、一導電型層が下部セルの裏面全体に拡散層として形成され、反対導電型層が下部セルの裏面の一箇所以上に拡散層として形成されており、反対導電型層は一導電型層よりもドーパント濃度が高く且つ拡散深さが小さいか又は大きい。上部セルと下部セルの導電型が反対であって、両セル間にトンネル接合が介在する形態も可能。

Claim (excerpt)：

裏面側単位太陽電池を構成するIV族半導体基板上に、受光側単位太陽電池を構成するIII-V族化合物半導体層を積層したタンデム型の太陽電池であって、上記太陽電池の受光面に設けられ、上記受光側単位太陽電池の一方の電極を構成する上部電極と、前記太陽電池の裏面に設けられ、この裏面側に形成された一導電型層と反対導電型層とにそれぞれ独立して接続されて上記裏面側単位太陽電池の一対の電極を構成すると共に、これら一対の電極のうちの一方が上記受光側単位太陽電池の他方の電極としても兼用される裏面電極と、を備えたタンデム型太陽電池において、上記一導電型層は上記裏面側単位太陽電池の裏面全体に該裏面からの拡散層として形成され、上記反対導電型層は、上記裏面側単位太陽電池の裏面の一箇所以上に該裏面からの拡散層として形成され、上記一導電型層よりもドーパント濃度が高く且つ拡散深さが小さい、ことを特徴とするタンデム型太陽電池。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 Y

F-Term (16)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045CA13 ,  5F051AA01 ,  5F051AA08 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051DA16 ,  5F051EA18 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051HA06