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J-GLOBAL ID：200903015406945165

半導体発光素子

Inventor： 出井 康夫 ,  西谷 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993149021
Publication number (International publication number)：1995015038
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高度の高輝度化を実現した半導体発光素子を提供することである。【構成】 半導体基板上にダブルヘテロ接合、シングルヘテロ接合またはホモ接合で構成されたInGaAlPを発光層6とする接合層と、前記接合層上に形成された電流フロー調整用の電流拡散層と、前記半導体基板の裏面に形成された第1の電極と、前記電流拡散層上に形成された第2の電極とを備えた半導体発光素子において、前記電流拡散層は、前記発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きいn型InGaAlPで構成したものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にダブルヘテロ接合、シングルヘテロ接合またはホモ接合で構成されInGaAlPを発光層とする接合層と、前記接合層上に形成された電流フロー調整用の電流拡散層と、前記半導体基板の裏面に形成された第1の電極と、前記電流拡散層上に形成された第2の電極とを備えた半導体発光素子において、前記電流拡散層は、前記発光層よりもバンドギャップエネルギーの大きいn型InGaAlPで構成したことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-114277
  
• 特開平4-229665
  
• 特開平4-100277
  
• 特開平4-361572