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J-GLOBAL ID：200903015412390973

超伝導リレー

Inventor： 吉田 晃
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996349391
Publication number (International publication number)：1998188754
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 超伝導リレーに関し、磁場による劣化がなく、オン状態で抵抗0、オフ状態で抵抗無限大の超伝導スイッチを得る。【解決手段】 超伝導体薄膜2を有する一対の超伝導体リードを、動作温度における通常の状態において互いの超伝導体薄膜2が電気的に接触するように配置し、少なくとも一方の超伝導体リードを、超伝導体薄膜2と、超伝導体薄膜2の臨界温度近傍において非超伝導性のベース層1とを積層させたバイメタルリード4で構成すると共に、超伝導体薄膜2の臨界温度近傍において、ベース層1の熱膨張率を超伝導体薄膜2の熱膨張率よりも小さくする。

Claim (excerpt)：

超伝導体薄膜を有する一対の超伝導体リードを、動作温度における通常の状態において前記互いの超伝導体薄膜が電気的に接触するように配置した超伝導リレーにおいて、少なくとも一方の前記超伝導体リードを、超伝導体薄膜と、前記超伝導体薄膜の臨界温度近傍において非超伝導性のベース層とを積層させたバイメタルリードで構成すると共に、前記超伝導体薄膜の臨界温度近傍において、前記ベース層の熱膨張率が超伝導体薄膜の熱膨張率よりも小さいことを特徴とする超伝導リレー。

IPC (3)：

H01H 37/32 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/20 ZAA

FI (3)：

H01H 37/32 ZAA Z ,  H01L 39/00 ZAA C ,  H01L 39/20 ZAA