水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992290362
Publication number (International publication number)：1994140368
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】水素プラズマダウンフロー処理方法及び処理装置に関し、装置内壁に水素原子が付着して再結合するのを生じ難くすることができ、処理室への水素原子の輸送効率を向上させて水素プラズマ処理を高速化することができる他、OHラジカル等の酸化種の影響を低減して水素プラズマ処理効率を向上させることができ、更には水素原子濃度の変化を少量に抑えながら酸素原子濃度、OHラジカル濃度を適宜制御する。【構成】少なくとも真空容器の真空に露出される装置構成部材の少なくとも一部が酸化珪素で構成される装置を用いて、少なくとも水素を含むガスをプラズマ化して該プラズマ下流で被加工物を処理する水素プラズマダウンフロー処理方法において、該酸化珪素領域の少なくとも一部を443°C以上に加熱して該被加工物を処理するように構成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも真空容器の真空に露出される装置構成部材の少なくとも一部が酸化珪素で構成される装置を用いて、少なくとも水素を含むガスをプラズマ化して該プラズマ下流で被加工物を処理する水素プラズマダウンフロー処理方法において、該酸化珪素領域の少なくとも一部の温度を443°C以上に加熱して該被加工物を処理することを特徴とする水素プラズマダウンフロー処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , G03F 7/42 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-256235
特開昭63-211628
特開昭61-065420

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