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J-GLOBAL ID：200903015424188835
X線露光用マスク
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993074736
Publication number (International publication number)：1994291018
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 多重反射の影響を低減することができ、したがって、位置合わせ精度を向上させることができ、高精度微細パタン形成を可能とするX線露光用マスクを提供する。【構成】 X線透過基板1にX線吸収層3を備え、X線感光性膜が付着された半導体ウエハとの位置合わせに用いられる位置検出用マーク21は、前記X線透過基板1を段差状に加工してなることを特徴とする。また、位置検出光の透過を妨げる不透過膜を、X線露光用マスクの前記位置検出用マークを含む領域に設けてもよく、透過窓を含む領域のX線透過基板の両面または一方の面に、位置検出光を透過させる反射防止膜を設けてもよい。また、前記不透過膜及び反射防止膜は一層または複数層の膜としてもよい。
Claim (excerpt)：
X線透過基板にX線吸収層を備えてなり、X線感光性膜が付着された半導体ウエハとの位置合わせに用いられる位置検出用マークは、前記X線透過基板を段差状に加工してなることを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G03F 9/00
Cited by examiner (6)
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