線間容量を低減するための多孔質誘電体

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995166762
Publication number (International publication number)：1996064679
Application date： May. 29, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路において、線間における電力消費、クロストーク電圧、およびRC定数を低減化された配線方式を得る多孔質誘電体に関する。【構成】半導体母材10上へ相互接続線14a-dを形成し、半導体母材および相互接続線14a-d上を、隣接する相互接続線間の空隙を埋めるのに十分以上の厚さの誘電層20で被覆する。誘電層20を焼成し、より高い温度で硬化する。これによって、空隙内部の誘電層20は相互接続線上およびオープンフィールド中のそれよりも低い密度を持つ。相互接続線の上から誘電層をエッチバックで除去してもよい。相互接続線14a-dおよび誘電層20の上を覆って二酸化シリコン層12が堆積され、二酸化シリコン層12および誘電層20を貫通して相互接続線14a-cへのコンタクト・ビア11がエッチされる。

Claim (excerpt)：

半導体デバイス中に、線間容量を低減化された相互接続層を作製する方法であって、a. 半導体本体上に半導体要素を形成し、b. 前記半導体本体および前記半導体要素上に誘電層を被覆し、c. 前記誘電層を焼成し、d. 前記誘電層をプレーナ化することを含む方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平4-311059
特開昭63-208248
特開平4-125929

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Cited by examiner (5)

特開平4-125929
特開平4-311059
特開昭63-208248

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