Pat
J-GLOBAL ID:200903015429053504
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000052017
Publication number (International publication number):2001240798
Application date: Feb. 28, 2000
Publication date: Sep. 04, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 均一な厚さで、塗膜の機械的強度やクラック耐性やCMP耐性に優れ、かつ低比誘電率の塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A);R1aSi(OR2)4-a (R1は水素、フッ素、1価の有機基、R2は1価の有機基、aは0〜2の整数)およびR3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c(R3,R4,R5およびR6は、1価の有機基を示し、bおよびcは、0〜2の数、R7は酸素または-(CH2)n-基、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方と、(B);HO-(SiR8R9O)eH(R8およびR9は、1価の有機基、eは2〜100の整数)を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
Claim (excerpt):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方と(B)下記一般式(3)で表される化合物HO-(SiR8R9O)eH ・・・・・(3)(R8およびR9は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、eは2〜100の整数を示す。)を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (11):
C09D183/00
, C08G 77/08
, C08G 77/50
, C08K 5/00
, C08K 5/07
, C08L 83/06
, C08L 83/14
, C09D 5/25
, H01L 21/312
, H01L 21/316
, H01L 21/768
FI (11):
C09D183/00
, C08G 77/08
, C08G 77/50
, C08K 5/00
, C08K 5/07
, C08L 83/06
, C08L 83/14
, C09D 5/25
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
, H01L 21/90 S
F-Term (64):
4J002CP031
, 4J002CP051
, 4J002EE046
, 4J002FD316
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J035BA03
, 4J035CA051
, 4J035CA061
, 4J035EA01
, 4J035EB03
, 4J035EB04
, 4J035HA01
, 4J035HB03
, 4J035LB20
, 4J038DL031
, 4J038DL071
, 4J038DL081
, 4J038DL161
, 4J038HA176
, 4J038HA186
, 4J038HA236
, 4J038JA11
, 4J038JA34
, 4J038JA37
, 4J038JA38
, 4J038JA39
, 4J038JA40
, 4J038JB01
, 4J038JB03
, 4J038JB09
, 4J038JB23
, 4J038JB31
, 4J038JC25
, 4J038JC32
, 4J038JC38
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038KA09
, 4J038NA04
, 4J038NA11
, 4J038NA17
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
, 4J038PB11
, 4J038PC02
, 4J038PC03
, 4J038PC08
, 5F033QQ48
, 5F033RR21
, 5F033SS22
, 5F033SS30
, 5F033TT03
, 5F033XX01
, 5F033XX06
, 5F033XX17
, 5F033XX24
, 5F058AA02
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AD05
, 5F058AF04
, 5F058AH02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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特開昭55-156330
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低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板
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Application number:特願平9-008705
Applicant:新日本製鐵株式会社
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Application number:特願平6-143816
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Application number:特願平8-191688
Applicant:日立化成工業株式会社
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Application number:特願平9-167348
Applicant:日立化成工業株式会社
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膜形成用組成物
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Application number:特願平9-331449
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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多孔質膜
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Application number:特願平10-135785
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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Application number:特願平11-135618
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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特開昭63-291924
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Application number:特願平10-141014
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Application number:特願平7-172033
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Applicant:東京応化工業株式会社
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