Pat
J-GLOBAL ID：200903015431210072
張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994340327
Publication number (International publication number)：1996186167
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 従来と同等以上の平坦性を持つ張り合わせ面を、従来よりもきわめて簡単な方法で得る。張り合わせ誘電体分離ウェーハを短時間に製造できる製造方法を提供する。【構成】 シリコンウェーハPWの鏡面をパターニングし、誘電体分離用のV字形状の溝を形成する。ドーパントSbを拡散し、さらにその表面に酸化膜を形成する。低温CVD法/高温CVD法によりポリシリコン膜を所定厚さ成長させる。面取り後、ポリシリコン膜の表面を研削する。研削面にイオン注入し、表面部分をアモルファス化する。アモルファス面を鏡面研磨し、この面を支持ウェーハの鏡面に室温で重ね合わせて密着させ、支持ウェーハに張り合わせる。張り合わせ熱処理を行う。張り合わせウェーハの裏面側を研削、研磨して酸化膜の一部を露出させ、単結晶シリコン層を絶縁分離する。
Claim (excerpt)：
誘電体分離島を有するシリコンウェーハと支持ウェーハとを張り合わせることにより、誘電体分離ウェーハを製造する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法において、誘電体分離用の溝を形成したシリコンウェーハの表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に高温CVD法によりポリシリコン膜を形成する工程と、このポリシリコン膜の表面を研削加工する工程と、このポリシリコン膜の研削面をアモルファス化する工程と、このアモルファス化した表面を研磨する工程と、この研磨した表面を支持ウェーハ表面に重ね合わせることにより、シリコンウェーハと支持ウェーハとを張り合わせる工程とを備えた張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/762
, C30B 33/06
, H01L 21/02
