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J-GLOBAL ID：200903015442081630
ポジ型フォトレジスト組成物の熱処理方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
江崎 光史 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997533479
Publication number (International publication number)：2000507046
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：
【要約】実質的な利点を与える、ジアゾナフトキノンスルホネートエステル-ノボラックポジ型フォトレジスト用のフラッシュソフトベーク方法を開示する。この方法は、レジストに従来よりも高いソフトベーク(SB)温度(≧130°C)かつ非常に短いベーク時間(≦30秒)を用い、また好ましくはこれは底部反射防止膜上で行われる。これは、フォトレジストの解像度、プロセス寛容度、熱変形温度、レジスト粘着性及びプラズマエッチング耐性を顕著に改善する。更に、低反射性の基体または反射防止膜が使用される場合、この方法は、厳しい定在波効果を招くことなく、フォトリソグラフィープロセス中の露光後ベーク(PEB)段階を不必要なものとする。
Claim (excerpt)：
基体上にレリーフ像を形成する方法であって、基体上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜をベークし、このフォトレジストを化学線で露光し、そしてこの被覆された基体を処理して基体上の像を現像することを含み、この際、この基体を、130°C以上の温度に加熱された表面に対して30秒以下の間、接触させるかまたはプロキシミティベークすることによって上記ベーク段階を行う上記方法。
IPC (5)：
H01L 21/027
, G03F 7/022
, G03F 7/023 511
, G03F 7/38 501
, G03F 7/40 501
H01L 21/30 563
, G03F 7/022
, G03F 7/023 511
, G03F 7/38 501
, G03F 7/40 501
, H01L 21/30 571
