Pat

J-GLOBAL ID：200903015444752435

プラズマ処理装置

Inventor： 中田 健二 ,  牧野 昭孝 ,  田村 直行 ,  七田 弘之 ,  小川 芳文
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031791
Publication number (International publication number)：1993230661
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】直流電源を大容量にすることなく、ECR点の位置の制御を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】励磁コイル2,3の外周部および外周部に接続して内周部の一部にそれぞれ外ヨーク4および内ヨーク5を配置したものである。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成室に反応ガス及びマイクロ波を導入すると共に、プラズマ生成室の周囲に配設された励磁コイルに直流電源を供給して磁界を印加し、電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズマを生成させるプラズマ処理装置において、前記プラズマ生成室内の磁束をある領域内に封じ込めるために、励磁コイルの外周部に接続して内周部の一部に磁性体を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  G01N 24/14 ,  G01R 33/64 ,  H05H 1/30 ,  H01L 21/31