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J-GLOBAL ID：200903015453682148

半導体装置の製造方法

Inventor： 唐澤 修
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992122260
Publication number (International publication number)：1993326496
Application date： May. 14, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】パッド酸化膜の薄膜化を防止して、リーク電流を低減して、歩留りを向上する共に、微細化を達成した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に、薄い酸化膜2、薄いシリコン窒化膜3、多結晶シリコン膜4を形成し、当該多結晶シリコン膜4の素子領域上に、シリコン窒化膜5からなる素子分離用マクスを形成した後、選択酸化を行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に薄い酸化膜を介して形成した多結晶シリコン膜上の素子を形成する部分のみに、耐酸化性膜を形成し、この耐酸化性膜をマスクとして選択酸化を行い、前記半導体基板の素子分離領域に選択酸化膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記薄い酸化膜上に薄いシリコン窒化膜を形成した後に、前記多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。