Pat
J-GLOBAL ID：200903015471753389
GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲垣 清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997327632
Publication number (International publication number)：1999163334
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高温で安定して動作するGaN系MISFETを提供することである。【解決手段】 本発明のGaN系絶縁ゲート型トランジスタ10は、金属ゲート-ゲート絶縁膜-GaN系半導体層からなるGaN系絶縁ゲート型トランジスタであって、ゲート絶縁膜28が、高抵抗のダイヤモンド層24と、AlリッチAlGaN層26との積層構造により形成されている。トランジスタは、p型半絶縁性基板12上に、順次、形成されたp型バッファ層14と、p型AlGaN層16と、AlGaN層上部に埋め込み形成されたn型AlGaN層からなるソース/ドレイン領域18、20と、少なくともゲート電極領域にはダイヤモンド層の密着層として形成された高濃度カーボンドープのAlGaN層22とを備えている。絶縁膜28は密着層上に形成されている。
Claim (excerpt)：
金属ゲート-ゲート絶縁膜-GaN系半導体層からなるGaN系絶縁ゲート型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜が、高抵抗のダイヤモンド層と、GaN系高抵抗性半導体層との積層構造により形成されていることを特徴とするGaN系絶縁ゲート型トランジスタ。
IPC (2)：
FI (4)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 626 C
