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J-GLOBAL ID：200903015472688718
単結晶基板品の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222087
Publication number (International publication number)：1996091986
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】単分域状態にある強誘電性単結晶基板上に強誘電性単結晶膜を液相エピタキシャル法によって形成するのに際して、成膜後においても、強誘電性単結晶基板の単分域状態を維持するのと共に、単分域状態の単結晶膜を形成できるようにすること。【構成】前記強誘電性単結晶基板のキュリー温度が液相エピタキシャル法における成膜温度よりも高く、この成膜温度が、強誘電性単結晶膜のキュリー温度以上であることを特徴とする。好ましい態様では、強誘電性単結晶基板がニオブ酸リチウムからなり、強誘電性単結晶膜がタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体からなる。
Claim (excerpt)：
強誘電性単結晶基板とこの上に形成された強誘電性単結晶膜とを備えている単結晶基板品を製造する方法であって、前記強誘電性単結晶基板上に前記強誘電性単結晶膜を液相エピタキシャル法によって形成するのに際して、前記強誘電性単結晶基板のキュリー温度が液相エピタキシャル法における成膜温度よりも高く、この成膜温度が、前記強誘電性単結晶膜のキュリー温度以上であることを特徴とする、単結晶基板品の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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