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J-GLOBAL ID：200903015473623946

面発光型半導体レーザ

Inventor： 森 克己
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992103065
Publication number (International publication number)：1993299779
Application date： Apr. 22, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】信頼性が高く、高歩留まり、高特性なフォトダイオード内蔵型面発光半導体レーザを簡便に提供する。【構成】半導体基板(102) に対して垂直な共振器を持つ半導体レーザにおいて、共振器が構成する発光部(120) と同一構造を持った検出部(121) を作成し、発光部と検出部の間をII-VI族化合物半導体エピタキシャル層(109) で埋め込み、発光部(120) と検出部(121) の間を分離溝(122) で分離して構成する。出力レーザ光の反射光を検出部(121) の表面の一部を露出したところから検出部(121)内部に導入することにより、レーザ光強度を検出し、APC回路用のフォトダイオードを内蔵した面発光半導体レーザを構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に垂直な方向に光を出射するように当該半導体基板に垂直な方向に形成された共振器を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層が柱状に形成されている面発光型の半導体レーザにおいて、前記半導体基板の同一基板上に前記共振器の構造と同一であるフォトダイオードを形成し、前記フォトダイオードの表面の一部に電極を形成し、残りは表面を露出させ、前記共振器と前記フォトダイオードの間を分離溝で分離することを特徴とする面発光型半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-015872
  
• 特開昭62-015872