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J-GLOBAL ID：200903015482977033

面発光レーザとその製造方法

Inventor： 杉本 満則
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993037692
Publication number (International publication number)：1994252504
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低電流域で、自然放出光を効率良く出力できる面発光レーザを提供する。【構成】半導体壁10を周期的に配置する事によって、横方向DBR反射鏡12を形成する。この横方向DBR反射鏡12によって、横方向のレーザ内部光13を効率良く閉じ込める事が出来る。また、横方向の光に対して、非共鳴状態にした場合には、横方向の自然放出光の発光が抑制される。従って、横方向のみに、自然放出光を効率良く取り出す事が出来る。また、従来の誘電体膜の成膜に代えて垂直ドライエッチングを用いると、横方向DBR反射鏡12を制御性良くできるため、反射鏡の高い横方向DBR反射鏡12が実現できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1DBR反射膜と、この第1DBR反射膜上に形成されたPN接合と活性層を含む多層構造と、前記多層構造上に形成された第2DBR反射膜と、前記第1DBR反射膜と前記多層構造と前記第2DBR反射膜からなる半導体柱と、この半導体柱を横方向を囲むように形成された少なくとも1つの半導体壁とを備え、前記活性層から出射する光の媒質内波長をλとするとき、前記半導体壁の厚み、前記半導体柱と前記半導体壁の間の間隔がそれぞれほぼλ/4+(λ/2の整数倍)となっており、前記半導体壁が2つ以上ある場合には、その間隔がほぼλ/4+(λ/2の整数倍)となっていることを特徴とする面発光レーザ。