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J-GLOBAL ID：200903015496586630

有機半導体装置

Inventor： 上川 武富 ,  小山 智子 ,  原田 篤 ,  小口 宣雄 ,  金子 丈夫
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002007714
Publication number (International publication number)：2003209122
Application date： Jan. 16, 2002
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 有機半導体層を用いた新規な有機半導体装置を提供する。【解決手段】 基板10の上に配置されたソース/ドレイン電極20と、前記ソース/ドレイン電極20の上に少なくとも第1の絶縁層31を介して配置され、複数の貫通孔80を有するゲート電極40と、前記ソース/ドレイン電極20の上に配置され、かつ前記貫通孔80内で前記ゲート電極40に対して第2の絶縁層32を介して配置される有機半導体層50と、前記有機半導体層50の上に前記ゲート電極40に対して第3の絶縁層33を介して配置されたドレイン/ソース電極70と、を含む。

Claim (excerpt)：

基板の上に配置されたソース/ドレイン電極と、前記ソース/ドレイン電極の上に少なくとも第1の絶縁層を介して配置され、複数の貫通孔を有するゲート電極と、前記ソース/ドレイン電極の上に配置され、かつ前記貫通孔内で前記ゲート電極に対して第2の絶縁層を介して配置される有機半導体層と、前記有機半導体層の上に前記ゲート電極に対して第3の絶縁層を介して配置されたドレイン/ソース電極と、を含む、有機半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (6)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 301 Z ,  H01L 29/78 301 C ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B

F-Term (54)：

4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104FF04 ,  4M104GG09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC09 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE24 ,  5F110EE33 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF22 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AB01 ,  5F140AB04 ,  5F140AC23 ,  5F140AC30 ,  5F140BA18 ,  5F140BB04 ,  5F140BC11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF51 ,  5F140BF52 ,  5F140BF53 ,  5F140BH04 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ25