半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995318098
Publication number (International publication number)：1997162392
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】埋め込み素子分離とシリサイド層を具備し、結晶欠陥の発生を抑制する構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1に形成された溝に埋め込まれた絶縁層2と、半導体基板1上の一部に形成されたシリサイド層7を有する半導体装置において、シリサイド層7は溝の側面において絶縁層2と直接接触しないように形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された溝に埋め込まれた絶縁層と、前記半導体基板上の一部に形成されたシリサイド層とを有する半導体装置において、前記シリサイド層は前記溝の側面において前記絶縁層と直接接触しないように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/76

FI (3)：

H01L 29/78 301 S , H01L 21/28 301 T , H01L 21/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-063748 Applicant：株式会社東芝

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