Pat
J-GLOBAL ID:200903015497310086

半導体記憶装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 徳若 光政
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992122568
Publication number (International publication number):1993299616
Application date: Apr. 16, 1992
Publication date: Nov. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 使い勝手のよい新規な半導体記憶装置を提供する。【構成】 電気的に書き込みと消去が可能にされた不揮発性のメモリチップとRAMとを同一のパッケージに実装させて1つの半導体記憶装置を構成する。【効果】 メモリアクセスはRAMに対して行うことにより高速化と書き換え回路数の制限を無くし、電源を遮断する前にRAMのデータを不揮発性メモリに書き込むことによりデータの不揮発化を図ることができる。
Claim (excerpt):
電気的に書き込みと消去が可能にされた不揮発性のメモリチップと、ランダム・アクセス・メモリチップとを同一のパッケージに実装させてなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3):
H01L 27/115 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (2):
H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 321

Return to Previous Page