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J-GLOBAL ID：200903015505182785

銅化合物及びそれを用いた銅薄膜の製造方法

Inventor：
王谷 稔

About 王谷 稔

, 
久田 純

About 久田 純

, 
馬渡 豊樹

About 馬渡 豊樹


Applicant, Patent owner：
メック株式会社

About メック株式会社


Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004181403
Publication number (International publication number)：2005035984
Application date： Jun. 18, 2004
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：
【課題】電子デバイス等の製造工程で必要な銅薄膜を安全、安価、かつ容易に形成できる銅化合物とそれを用いた銅薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】分解温度が100〜300°Cの範囲であって、下記式(1):【化1】(但し、nは1〜3、mは1〜3、pは0〜1、n個のR1はそれぞれ下記式(2),CH2X2,CH2X2(CHX2)q、NH2,Hを表わし、同じであっても異なっていても良く、又はnは2であって、2個の[R1COO]は一緒になって下記式(3)を表わし、R2,R3,R4は、それぞれCH2X2,CH2X2(CHX2)q、NH2,H、R5は-(CHX2)r-、X2は、H,OH,NH2、rは0〜4、qは1〜4、X1はNH4+、H2O又は溶媒分子)で表される単位が1又は複数連結した銅化合物である。【化2】【化3】【選択図】2
Claim (excerpt)：
分解温度が100〜300°Cの範囲であって、下記式(1):
IPC (4)：
C07C53/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C18/08
FI (4)：
C07C53/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/18 ,  C23C18/08
F-Term (47)：
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB82 ,  4H006BS10 ,  4H048AA01 ,  4H048AA02 ,  4H048BB12 ,  4H048BB14 ,  4H048BB17 ,  4H048BB31 ,  4H048BE14 ,  4H048VA20 ,  4H048VA30 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4H048VB40 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA12 ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA35 ,  4K022AA36 ,  4K022AA37 ,  4K022AA42 ,  4K022AA43 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022DA06 ,  4K022DB01 ,  4K022DB18 ,  4K022DB24 ,  4K022DB26 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030CA07 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • Cu超微粒子独立分散液
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-226464   Applicant：真空冶金株式会社, 日本真空技術株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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