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J-GLOBAL ID：200903015531619407

強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法

Inventor： 沢崎 立雄
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002095058
Publication number (International publication number)：2003298021
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体の結晶化における熱負荷を低減することができる強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る強誘電体薄膜の形成方法は、基板10上に形成された非晶質の酸化物薄膜30にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核40を形成する工程と、前記微結晶核40を含む酸化物薄膜の上に光透過/吸収膜22を形成する工程と、前記光透過/吸収膜22の上部からパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体50を形成する工程と、を含む。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された非晶質の酸化物薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核を形成する工程と、前記微結晶核を含む酸化物薄膜の上に光透過/吸収膜を形成する工程と、前記光透過/吸収膜の上部からパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体を形成する工程と、を含む、強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  C01G 25/00 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/316

FI (6)：

C01G 25/00 ,  C01G 35/00 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 Z

F-Term (26)：

4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AB02 ,  4G048AB06 ,  4G048AC02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE08 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F083PR41 ,  5F083ZA11