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J-GLOBAL ID：200903015533592506

アンチヒューズ型半導体集積回路装置

Inventor： 神力 博 ,  田村 與司光 ,  木村 吉孝 ,  筒井 千絵 ,  太田 与洋 ,  小宮 隆行
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210670
Publication number (International publication number)：1996153799
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【課題】 導通路のON抵抗の絶対値・ばらつきが極めて小さく、かつ上下電極間の電気的接続,絶縁分離の双方とも確実にでき、しかも導通路におけるEM耐性の向上したアンチヒューズ型半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 アンチヒューズ用絶縁膜(AF)下地のミクロ組織を非晶質または微細結晶質としかつ下地平坦化処理を施して、アンチヒューズ用絶縁膜の膜質向上・膜厚均一化をはかるとともに、低融点金属および/または高融点金属を含む導電膜を上下電極(TF,BF)用に配置して書込電圧極性を管理することにより、これらの金属を効率よく導通路(CW)に取り込んで導通路の成分組成を改善する。

Claim (excerpt)：

下層電極が非晶質構造の導電性材料からなることを特徴とするアンチヒューズ型半導体集積回路装置。

IPC (6)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 431

FI (4)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 21/90 B ,  H01L 27/04 P