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J-GLOBAL ID：200903015540626084

半導体集積回路

Inventor： 武藤 聖人
Applicant, Patent owner： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991149076
Publication number (International publication number)：1993003295
Application date： Jun. 21, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】MOSFETを有する半導体集積回路の基板電位を安定させ、MOSFETの動作を安定させる。【構成】下面にP型不純物を導入して導電率を高めたP+ 型拡散層3を設けたP型シリコン基板1の上面にNチャネル及びPチャネルMOSFETを形成し、P+ 型拡散層3によりキャリアの移動による電圧変動を抑制して基板電位を安定させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上面に設けたMOSFETを有する半導体集積回路において、前記半導体基板の下面に前記半導体基板と同じ導電型の不純物を導入して導電率を高めた不純物拡散層を有することを特徴とする半導体集積回路。