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J-GLOBAL ID：200903015547418924

ハ-ドマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用した材料のエッチング方法

Inventor： セオドア エス.モイス ,  グオキアング シング ,  マーク ビソケイ ,  ジャスティン エフ.ゲイナー ,  スコット アール.サマーフェルト ,  スチーブン アール.ギルバート ,  フランシス セリイ ,  ルイギ コロンボ ,  マーク エイ.クレスリイ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999256316
Publication number (International publication number)：2000133633
Application date： Sep. 09, 1999
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 常誘電体および強誘電体キャパシタの製作方法を提供する。【解決手段】 絶縁拡散バリア上の誘電体と共にキャパシタを電極間の誘電体にコンタクトさせるビアエッチはFベース誘電体エッチおよびClおよびFベースバリアエッチによる2ステップエッチを含んでいる。

Claim (excerpt)：

ハードマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用して材料をエッチングする方法であって、ハードマスクはチタンおよび/もしくはアルミニュウムの窒化物から作られ、エッチャントは塩素、酸素、および窒素を含み、エッチャントは250-400C程度の温度である、エッチング方法。