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J-GLOBAL ID：200903015547464691

半導体集積回路

Inventor： 渡辺 光
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 長谷 照一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991249531
Publication number (International publication number)：1993090509
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路の寄生MOS効果 を防止する。【構成】半導体基板10の一主面に形成された半導体素子12と、半導体素子12を被覆する絶縁膜13上に設けられた導体配線15とが絶縁膜13を介して交差する部分の絶縁膜13内の上下方向中間面にて半導体素子12を囲む所定領域の一部に対応した位置に中間導体層14を設け、かつ中間導体層14を所定の電位に保持する。この中間導体層14が、導体配線15の電位変動から半導体素子12を静電遮蔽することにより、導体配線15の電位変動による半導体素子12への寄生MOS効果 を有効に防止する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面に形成された複数の半導体素子と、同半導体素子を被覆する絶縁膜と、同絶縁膜の表面に配設され前記半導体素子間を接続する導体配線とを備えた半導体集積回路において、前記半導体素子と前記導体配線が前記絶縁膜を介して交差する部分の同絶縁膜内の上下方向中間面にて同半導体素子を囲む所定領域の一部に対応した位置に形成されかつ所定の電位に保持された中間導体層を設けたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

H01L 27/08 331 ,  H01L 29/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-043463
  
• 特開昭58-090755
  
• 特開昭60-261169