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J-GLOBAL ID:200903015551662112

圧力センサデバイスおよびそれを用いた回路およびシステム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004061958
Publication number (International publication number):2005249644
Application date: Mar. 05, 2004
Publication date: Sep. 15, 2005
Summary:
【課題】 従来の構成では、Si基板を用いて作製するため、フレキシブルプリント基板をSi基板に接合し、Si基板を加工しなければならず、工程が複雑であるという課題があった。 【解決手段】 本発明の圧力センサデバイス11によれば、フレキシブル基板1上に有機FETで構成されるため、製造が容易である。具体的には、この有機FETは、有機半導体層2、絶縁層5、ゲート6、ドレイン3、ソース4によって構成され、有機半導体層2がπ共役系高分子によって形成され、絶縁層5が有機絶縁物によって形成され、圧電ポリマー層7の圧電材料がゲート6と電気的に接続している。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
フレキシブル基板上に、有機材料で形成された有機FETと圧電材料によって構成されることを特徴とする圧力センサデバイス。
IPC (2):
G01L1/16 ,  H01L29/84
FI (3):
G01L1/16 B ,  G01L1/16 G ,  H01L29/84 C
F-Term (9):
4M112AA01 ,  4M112BA03 ,  4M112CA41 ,  4M112CA45 ,  4M112CA54 ,  4M112DA08 ,  4M112EA11 ,  4M112EA14 ,  4M112FA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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