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J-GLOBAL ID：200903015556408273

半導体装置の製造方法

Inventor： 北野 友久
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994265695
Publication number (International publication number)：1996125182
Application date： Oct. 28, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】ドーパントとなる不純物の増速拡散を抑制し、浅い接合を形成する。【構成】IV族イオンを注入して半導体シリコン基板領域を非晶質化した後、ドーパントとなる不純物をイオン注入する。次に、高融点金属11を堆積した後、非晶質層10A-1,10A-2が再結晶しない温度でシリサイド膜(16-1〜16-3)を形成する。次に、シリサイド表面上に形成された生成物を除去した後、再び熱処理を行ない非晶質層を再結晶化,不純物注入層の活性化およびシリサイド膜の相転移を行なう。

Claim (excerpt)：

半導体シリコン基板の表面部にIV族元素イオンを注入して非晶質層を形成し、前記非晶質層の表面部に不純物イオンを注入して不純物注入層を形成し、前記不純物注入層に高融点金属膜を被着し、前記非晶質層が再結晶しない高々500°Cの温度で第1の熱処理を行なって前記高融点金属膜をシリサイド化し、前記第1の熱処理時に前記高融点金属膜の表面に形成された反応生成物および未反応のまま残っている前記高融点金属膜を除去し、500°Cを越える温度で第2の熱処理を行なって前記非晶質層の再結晶化、前記不純物注入層の活性化および前記高融点金属シリサイドの相転移を行なうことによって不純物拡散層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324

FI (3)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 301 P