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J-GLOBAL ID：200903015563002550

半導体集積装置

Inventor： 下地 規之
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179362
Publication number (International publication number)：1993029483
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板一表面における配線の複雑さを回避することを図る。【構成】 半導体の表面と裏面間を通じる様に形成したスルーホールを介して、裏面にも配線を施すものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一表面上に複数個の電子素子を形成した半導体集積装置において、前記電子素子間をつなぐ配線を半導体基板の一表面と、裏面の双方に設けたことを特徴とする半導体集積装置。