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J-GLOBAL ID：200903015563620300

パターン形成方法

Inventor： 岡田 智弘 ,  川辺 隆 ,  小沼 昭 ,  府山 盛明 ,  森尻 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993049004
Publication number (International publication number)：1994267843
Application date： Mar. 10, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】上層部にフォトレジスト、下層部にポリジメチルグルタルイミドを用いた2層膜に、紫外線および遠紫外線の照射と2回の現像の組合せで、アンダーカットをもつマスク材を形成し、スパッタ法を用いたリフトオフ法によりパターンの形成を行う。【構成】上層部のフォトレジスト3と下層部のポリジメチルグルタルイミド2の両方を現像後、遠紫外線6の照射により、上層部のレジスト3を硬化させると同時に下層部のポリジメチルグルタルイミド2を感光させる。再び、2度目の現像によって、下層部のみを選択的にサイドエッチングし、アンダーカットをもつマスク材を作製する。このマスク材にスパッタ法により薄膜を被着し、有機溶剤を用いてリフトオフすることによりパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に2層レジスト膜を所望形状にパターン形成する工程と、薄膜を被着させる工程と、前記2層レジスト膜をリフトオフしパターンを形成する工程とからなり、前記2層レジスト膜の上層レジスト層のパターン形成後、光照射によって前記上層レジスト部を硬化させ、前記下層レジスト部のみをサイドエッチングしてパターン形成後、薄膜を被着し、リフトオフによりパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511