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J-GLOBAL ID:200903015571153818
超電導体およびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長門 侃二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993225521
Publication number (International publication number):1995081934
Application date: Sep. 10, 1993
Publication date: Mar. 28, 1995
Summary:
【要約】【目的】 超電導特性が優れ、再現性よく製造することができる、電子系の銅複合酸化物超電導体とその製造方法を提供する。【構成】 この超電導体は、次式:(Ca1-αSrα)β(Cu1-γMγ)(O1-δFδ)2-ε(式中、MはGaまたは/およびAlを表し、α,β,γ,δ,εは、それぞれ、0≦α≦1,0.9≦β≦1.1,0≦γ≦0.20,0≦δ≦0.25,0≦ε≦0.04を満足する数を表す。ただし、γ,δが同時に0になることはない)で示され、積み上げ法を用いて、(Ca1-αSrα)βの原子層と、(Cu1-γMγ)(O1-δFδ)2-εとの原子層を層状に積み上げて製造される。
Claim (excerpt):
次式:(Ca1-αSrα)β(Cu1-γMγ)(O1-δFδ)2-ε(式中、MはGaまたは/およびAlを表し、α,β,γ,δ,εは、それぞれ、0≦α≦1,0.9≦β≦1.1,0≦γ≦0.20,0≦δ≦0.25,0≦ε≦0.04を満足する数を表す。ただし、γ,δが同時に0になることはない)で示されることを特徴とする超電導体。
IPC (10):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 15/00 ZAA
, C04B 35/45 ZAA
, C23C 14/08 ZAA
, C30B 25/06 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
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