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J-GLOBAL ID：200903015572625950

プラズマ処理装置

Inventor： 川上 聡 ,  福田 頼信
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232705
Publication number (International publication number)：1994061185
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 装置を煩雑化させることなく、被処理体の面内でのプラズマ処理の均一性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供すること。【構成】 プロセスチャンバー10内は、上部電極50、単一のRF電極26に接続された下部載置電極22、回転可能なマグネット30によりプラズマ生成可能であり、これによりウエハ20を枚葉式にプラズマ処理できる。上部電極50は、第1、第2、第3の電極52、54、56にゾーン毎に分割され、それぞれの間には、第1、第2、第3の絶縁部材62、64、66が介在している。また、上部電極50には、高周波ケーブル70が並列接続され、第1、第2、第3のインピーダンス可変部82、84、86を介して接地される。これにより、各ゾーン毎の経路に対応して、インピーダンスを異ならせることが可能となり、これによりプラズマ処理の均一性を高めることができる。

Claim (excerpt)：

被処理体を載置する載置電極と該載置電極と対向する対向電極からなる平行平板電極の一方に単一の高周波電源を接続し、他方を接地して両電極間にプラズマを生成して、前記被処理体を一枚ずつプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記対向電極には、中心からの距離が異なるゾーン毎に高周波ケーブルが並列接続され、かつ、前記各ゾーン間でインピーダンスを異ならせたことを特徴とするプラズマ処理装置。