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J-GLOBAL ID：200903015575620577
ダイオードを内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタとその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996339880
Publication number (International publication number)：1997191110
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ダイオードを内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型のカソード100と第2導電型のコレクタ102とが選択的に形成された第1半導体層と、その第1半導体層上に形成された第1導電型の第2半導体層104と、その第2半導体層104内でカソード100と対向する位置に形成されたアノード106とコレクタ102と対向する位置に形成された第2導電型のベース108と、そのベース108内に形成されたエミッタ110とを有し、ダイオードを内蔵することで絶縁ゲートバイポーラトランジスタを組み立てた時の大きさを小さくすることができ、浮遊インダクタンスによるノイズの発生も防止できる。
Claim (excerpt)：
第1導電型のカソードと第2導電型のコレクタが選択的に形成された第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成された第1導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層内で前記カソードと対向する位置に形成されたアノードと、前記第2半導体層内で前記コレクタと対向する位置に形成された第2導電型のベースと、前記ベース内に形成されたエミッタと、を有することを特徴とするダイオードを内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。
IPC (2)：
FI (4)：
H01L 29/78 655 D
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 657 A
, H01L 29/91 C
