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J-GLOBAL ID：200903015577811280

マスクROM

Inventor： 米原 一夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992054627
Publication number (International publication number)：1993259410
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】本発明は、フラットセル構造のマスクROMの拡散層ビット線を溝の側壁部及び底部に形成する。【効果】本発明によれば、ビット線とワード線との寄生容量が低下し、高速なマスクROMを提供できる。

Claim (excerpt)：

表面に第一導電型の半導体層を有し前記半導体層に複数の溝を有する基板と、前記溝の底部と側壁部とに形成された第二導電型の拡散層と、前記溝を充填する絶縁体層と、前記半導体層表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁体層上と前記絶縁膜上とに形成された導電体層とを具備することを特徴とするマスクROM。

IPC (2)：

H01L 27/112 ,  G11C 17/12

FI (2)：

H01L 27/10 433 ,  G11C 17/00 304 B