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J-GLOBAL ID：200903015578254733

透過型露光用位相シフトマスクおよび該シフトマスクを用いた半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 中林 隆
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998027100
Publication number (International publication number)：1999223930
Application date： Feb. 09, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シェアードゲートトランジスタの占有面積を低減する。【解決手段】 一の方向に沿って配列された複数のシェアードセンスアンプSA1〜SAnと、その両側に配置された複数のシェアードゲートトランジスタS1〜S2nとを備えた半導体集積回路装置を製造するための透過型露光用位相シフトマスクであって、マスク基板と、露光のため光を透過する開口部を有する遮光膜とを備えている。遮光膜の開口部は、シェアードゲートトランジスタのためのゲート配線パターン102と、その両側に配置された補助パターン103とを有しており、補助パターン103を透過する光の位相とゲート配線パターン102を透過する光の位相とが逆位相となる。補助パターン103の働きで、ゲート配線パターン103は小さな寸法ぱらつきで微細なパターンに転写される。そのため、リーク電流を低く維持しながら、シェアードゲートトランジスタのゲート幅を短縮できるので、シェアードゲートトランジスタの占有面積を著しく低減できる。

Claim (excerpt)：

一の方向に沿って配列された複数のシェアードセンスアンプと、前記複数のシェアードセンスアンプの両側に配置された複数のシェアードゲートトランジスタとを備えた半導体集積回路装置を製造するための透過型露光用位相シフトマスクであって、マスク基板と、前記マスク基板に形成され、露光のための光を透過する開口部を有する遮光膜とを備え、前記遮光膜の開口部は、前記複数のシェアードゲートトランジスタのためのゲート配線パターンと、前記ゲート配線パターンの両側に配置された補助パターンとを有しており、前記補助パターンを透過する前記光の位相と前記ゲート配線パターンを透過する前記光の位相とが実質的に逆位相となるようにする位相シフタが前記マスク基板に形成されている透過型露光用位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528