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J-GLOBAL ID：200903015580454049

半導体不純物の活性化方法、および活性化装置

Inventor： 吉田 哲久 ,  北川 雅俊 ,  内田 正雄 ,  北畠 真 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338885
Publication number (International publication number)：1999224861
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 SiCに対するイオン注入・活性化が極めて困難であり、500〜1000°C程度に加熱してイオン注入を行った後に、Siプロセスよりもさらに高い1400〜1500°Cでの熱処理を必要とするため、生産性が低く、加えてp型のドーピングは困難であるという課題があった。【解決手段】 不純物元素を添加したSiC基板1上やSiC薄膜2に対し、前記半導体のバンド端吸収が起こる波長よりも長い波長のレーザ光5を照射する、あるいは半導体の構成元素と不純物元素との間の結合の振動により吸収する波長、例えば9〜11μmの波長のレーザ光5を照射する。特に、SiCにAlを添加した場合、波長が9.5〜10μmのレーザ光5を照射する。

Claim (excerpt)：

主要半導体元素と不純物元素とを含む半導体に光を照射して上記不純物元素を活性化させる半導体不純物の活性化方法であって、上記照射光が、上記半導体のバンド端吸収を起こす波長よりも長い波長の光であることを特徴とする半導体不純物の活性化方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/268

FI (2)：

H01L 21/265 602 C ,  H01L 21/268 J